β酸化ガリウム
タムラ製作所からのカーブアウトベンチャーであり、国立研究開発法人情報通信研究機構（NICT）の技術移転ベンチャーである株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、新世代パワーデバイス半導体材料の候補の一つである、β酸化ガリウム（β-Ga2O3）の研究開発を進めています。酸化ガリウムパワーデバイスが実用化されれば、中耐圧から高耐圧領域のパワーデバイス市場における省エネルギー化に大きな貢献が期待されます。
ショットキーバリアダイオードプロセス済 高品質β酸化ガリウム100ｍｍエピタキシャルウエハ
β酸化ガリウム（β-Ga2O3）の特長
2) 耐過酷環境応用
3) その他応用
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ショットキーバリアダイオードプロセス済 高品質β酸化ガリウム100ｍｍエピタキシャルウエハ
パワーデバイス用の新しい半導体材料であるβ-Ga2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップエネルギーが大きいため、低消費電力と高耐圧を併せ持つパワーデバイスの実現が期待されています。さらに、融液法によりバルク単結晶を育成できることから、SiCやGaNに比べて、低価格で高品質な基板を市場に提供することが可能です。
■理論オン抵抗と耐圧の関係
■β-Ga2O3の価格低減の理由
| SiC, GaN | β-Ga2O3 | |
| 成長速度 | 遅い |
速い |
| 加工難易度 | 難しい | 易しい |
| 成長法 | 気相成長法模式図 | 融液成長法模式図 |
アプリケーション
1) パワーエレクトロニクス応用|
電気自動車 |
鉄道車両 |
再生可能エネルギー |
スマートグリッド |
|
原子炉（放射線） |
宇宙（放射線、電磁波） |
|
高感度イメージセンサ |
シンチレータ（医療・セキュリティ応用） |
紫外線センサ |
ノベルクリスタルテクノロジー報道発表資料
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2023.12.25 世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功
2023.07.28 資金調達実施のお知らせ
2022.12.08 次世代のパワー半導体β型酸化ガリウムの結晶欠陥イメージング技術を開発
2022.09.20 世界初、酸化ガリウム反転型DI-MOSトランジスタを試作
2022.05.12 ローム株式会社からの資金調達を実施
2022.03.01 世界初、HVPE法で6インチウエハ上への酸化ガリウム成膜に成功
2022.02.21 資金調達実施のお知らせ
2021.12.24 世界初、アンペア級・1200 V耐圧の｢酸化ガリウムショットキーバリアダイオード｣を開発
2021.06.16 高品質 β 型酸化ガリウム 100 ｍｍ エピウエハの開発に成功
2021.06.16 世界最高耐圧の酸化ガリウム縦型トランジスタの開発に成功
2020.06.30 資金調達実施のお知らせ
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